Способ ускоренного выращивания полупроводниковых кристаллов большого диаметра путем охлаждения через расплав и воздействия электромагнитных полей для создания переохлаждения расплава
Изобретение может быть использовано в технологии получения монокристаллов полупроводников, в частности кремния. Сущность изобретения: для создания переохлаждения в пограничном слое между расплавом и гранью растущего кристалла используют электромагнитные поля, приводящие в движение расплав. В результате теплоотвод осуществляется в основном через расплав. Производительность процесса при его...