Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути
Использование: технология химической обработки и пассивации поверхности полупроводников для быстрого получения толстых (до 3000 ) и не требующих дополнительной защиты пассивирующих покрытий на поверхности CdxHg1-xTe при изготовлении ИК фотоприемников. Сущность изобретения: сульфидирующий раствор для пассивирующей пленки готовят при следующем соотношении компонентов, вес. %: сера 0,3 - 6,...