Способ получения оптического элемента

Способ получения оптического элемента

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технологии получения оптических материалов и может быть использовано в ИК-технике. Цель изобретения - повышение нэдехности защиты элемента при работе в неблагоприятных погодных условиях. Способ включает прокалку исходного сульфида цинка в течение 30-60 мин при температуре на выше температуры его последующего испарения нанесение защитного слоя путем вакуумного испарения со скоростью 0,02-0,1 мм/ч на полированную нагретую до 6ЬО-850°С подложку из поликристаллического селенида цинка при температуре испарения сульфида цинка, 1000-1080°С. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5l)5 С 30 В 23/02, 29/48

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4756016/26 (22) 03.11.89 (46) 23.09,91. Бюл. hL 35 (72) Б.А.Борисов, А.А.Демиденко, А.А.Дунаев и И.А.Миронов (53) 621.315.592 (088.8) (56) Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и техническое применение. — М.: Мир,1978, т. 8, с. 45. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО

ЭЛЕМЕНТА (57) Изобретение относится к технологии получения оптических материалов и может

Изобретение относится к ИК-технике и технологии получения оптических материалов, прозрачных в видимой и инфракрасной областях спектра, Цель изобретения — повышение надежности защиты элемента при работе в неблагоприятных погодных условиях.

Пример. В контейнер загружают сырье — тонкодисперсный или гранулированный (таблетированный) сульфид цинка, закрывают его графитовой крышкой и устанавливают в печь для прокалки в вакууме

-.10 мм рт.ст. или инертной среде (аргон)

-2 при 1100 С в течение 0,5 ч. затем печь охлаждают, с контейнера снимают графитовую крышку и вместо нее устанавливают полированную подложку — пластину из поликристаллического селенида цинка с поверхностью, обработанной до В =0,05. Печь закрывают, вакуумируют и средствами нагрева создают условия испарения и конденсации: температуру испарения 1080 С, . Ы 167892О А1 быть использовано в ИК-технике. Цель изобретения — повышение надежности защиты элемента при работе в неблагоприятных погодных условиях. Способ включает прокалку исходного сульфида цинка в течение 30-60 мин при температуре на 20 — 50 С выше температуры его последующего испарения нанесение защитного слоя путем вакуумного испарения со скоростью 0,02 — 0,1 мм/ч на полированную нагретую до 650 — 850 С подложку из поликристаллического селенида цинка при температуре испарения сульфида цинка, 1000 — 1080 С. 1 табл. температуру подложки 850 С, скорость конденсации 0,075 мм/ч (скорость конденсации подбирается и управляется экспериментально), По истечении 20 ч, осаждения защитного слоя из сульфида цинка печь охлаждают, извлекают контейнер, а из него — пластину селенида цинка с нанесенным слоем сульфида цинка толщиной 1,5 мм, После механической обработки (шлифовки, полировки) толщина защитного слоя составляет 0,5 мм.

Свойства заготовок двухслойного оптического материала на основе селенида цинка и сульфида цинка представлены в таблице.

Изготовленный по предлагаемому способу конструкционный оптический элемент в виде диска диаметром 350 мм и толщиной

18 мм с защитным слоем из сульфида цинка толщиной 05 мм прозрачен в видимой и инфракрасной областях спектра: пропуска1678920

Формула изобретения

Способ получения оптического элемента, включающий нанесение на нагретую полированную подложку покрытия путем

Номера п/и

Температура прокаливання, С

Время про- Температукаливания, ра испамин рения> С

Температура подлоко кн, С

Скорость роста покрытия, мм/ч

Коэ4фипиент пропускання, (Й) на длине волны, мкм

Микротвердость эащнтного покрытия, кгс/мм.

10,6

1000 650

1080. 850

1040 750

9 0 650

110D 800

1040 600

1О40 88О

1040 750

1О4О 750

1 1050

2 1100

3 1080

4 1000

5 1130

6 1080

/ 1080

8 1000

9 1080

60 зо зо

60 зо

60 зо

1О

0,02

О,1

0,05

О,О1

0,25

О,О6 о,оз

О 05

0,05 г40 гзо

250 гго

220 г4о

21о

250

46

57 гв

26 зо гз

3.

67

68

7О

56

61

68

62

43

Зг

44

Зв

63

Составитель. Е.Лебедев

Редактор М.Кузнецова Техред M,Моргентал Корректор С.Черни

Заказ 3187 Тираж 247 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул.Гагарина, 101 ние при il=0,63; 1,06 и 8-12 мкм составляет

55; 63 и 707о соответственно. Микротвердость защитного слоя составляет 220-250 кГс/мм . Деталь, изготовленная из такого оптического элемента, удовлетворяет конструкционным требованиям, предъявляемым к оптическим приборам, работающим в жестких условиях эксплуатации. вакуумного испарения предварительно прокаленного сульфида цинка, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что, с целью повышения надежности защиты элемента при работе в небла5 гоприятных погодных условиях, в качестве материала подложки используют поликристаллический селенид цинка, прокаливание ведут при температуре на 20-50 С выше температуры испарения в течнеие 30-60

10 мин, а нанесение покрытия проводят со скоростью 0,02-0,10 мм/ч при температуре испарения сульфида цинка 1000-1080 С и температуре подложки 650 — 850 С.