PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ГАЛАНОВ ЕВГЕНИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ

Изобретатель ГАЛАНОВ ЕВГЕНИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для градуировки круговых дихрографов

Устройство для градуировки круговых дихрографов

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) g5 1546 (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 03,02.75 (21) 2101891/25 с присоелинением заявки №(23) Приоритет(ФЗ) Опубликовано 25-03.77 Бюллетень Ы 11 (45) Дата опубликования описания 05.0" .77 (5)(М. Кл : Ц01((21/" 0 Гасударственный комитет Совета Министров СССР по...

551546

Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводниках

Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводниках

  О П И С А-4 -И E ИЗОБРЕТЕНИЯ-. -(1))/ 619876 Союз Советскик Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.0276 (21) 2324652/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 150878. Бюллетень № 30 (45) Лата опубликования описания060778 (51) М. Кл. 011(31/26 С, 01% 21/00 Государственный комитет Совета...

619876

Магнитооптический компенсатор

Магнитооптический компенсатор

  . М- "сХ):1 -СИ% бкбднотека МЬА ОПИСА Е д д () Ц Р :. Е Н И Я Союз Советских Социалистических Республик (11) 7054 06 * .«» К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 200378 (21) 2598683/18-25 с присоединением заявки Нов {51)м. Кл.2 G 02 F 1/09 Государственный комнтет СССР по делан нзобретеннй н открытнй (23) Приоритет Опубликовано 25.1279. Б...

705406

Способ измерения двупреломления в полупроводниках

Способ измерения двупреломления в полупроводниках

  Изобретение относится к оптике и может быть использовано в полупроводниковой и электронной промышленности. Цель - повышение точности и производительности измерения двупреломления. В способе измерения двупреломления в по.чупроводниках пропускают излучение, модулированное по азимуту плоскости поляризации, через образец 4 и компенсатор 6 при двух ориентацпях скрещенного положения по...

1413490

Способ определения концентрации локальных центров в полупроводниках

Способ определения концентрации локальных центров в полупроводниках

  Изобретение относится к способам бесконтактного определения концентрации локальных центров в полупроводниковых материалах путем пропускания электромагнитного излучения через образец . Цель изобретения - повышение точности и расширение диапазона определяемых концентраций. Согласно способу , настраивают частоту источника электромагнитного излучения таким образом , чтобы энергия ква...

1413684