Микушкин В.М.

 Изобретение относится к атомной физике и физике атомных столкновений. Целью изобретения является повышение точности и чувствительности и расширение диапазона измерений времени жизни в области глубоких вакансий. Способ состоит в облучении атомных частиц в газовой фазе ионами и в исследовании энергетических спектров испускаемых электронов. Он основан на взаимодействии после столкновения рас...

 Использование: при исследовании поверхностей веществ, плазмы, процессов электронных и атомных столкновений, в области энергоанализа заряженных частиц. Сущность изобретения: спектрометр заряженных частиц содержит два соосных конических электрода 1 и 2, с помощью которых осуществляется дисперсия частиц по энергии, и фокусирующую систему 8, расположенную между источником заряженных частиц и...

 Изобретение относится к приборам для анализа угловых и энергетических распределений заряженных частиц и может применяться для исследования твердого тела, плазмы, процессов электронных и атомных столкновений. Сущность изобретения: существующие устройства не позволяют измерять в одной экспозиции распределения частиц по углу и энергии, что осуществляется в предлагаемом устройстве и приводит...

 Использование: изобретение (варианты) относятся к исследованию материалов путем определения их физических свойств. Сущность изобретения: способ включает зондирование поверхности материала электронами средних энергий. Ток зондирующих электронов задают не большим 100 нА, измеряют участок спектра в режиме счета отдельных электронов в недифференцированном виде и в диапазоне потерь энергии 0&l...

 Использование: для создания структур металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник. Сущность изобретения: в способе получения структур металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник, по которому на слой ВТСП 123-типа направляют поток атомных частиц и в процессе получения структуры производят контроль ее параметров, в качестве материала ВТСП берут DyBa2Cu3O7-,, воздействуют на...

 Изобретение относится к области анализа материалов с помощью рентгеновского излучения и может быть использовано для неразрушающего анализа химического состава многокомпонентных материалов и определения энергии связи остовного уровня атома, находящегося в определенном химическом состоянии. Для этого в известном способе, включающем измерение линии фотоэлектронного спектра по меньшей мере од...

 Изобретение относится к получению структур "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник" или MIS-структур. Предложен способ получения наноструктуры "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник", по которому на поверхность купратного высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) воздействуют потоком ускоренных частиц с энергией, необходимой для их проникновения в материал н...