АФАНАСЬЕВ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ
Изобретатель АФАНАСЬЕВ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ является автором следующих патентов:
Ткань для средств индивидуальной защиты кожных покровов человека от огня
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ,!!) 5600)6 Со)оз Советских Со((о:-.,"„: iNBcyvx Рес()у> л! к (f>j ) Допо,!Нн 1(,ll>HO« 1,;lвт, СBil. 1-13( (2 ) За я!)лспо 2! .12.71 (2 j ) 1543138 12 С H Р I I (. О (. Д И I С f 1 11 С:>1 3 3 Я 13 К И . >(" (23) 11риоритет О н >> бл и !(О !)а н» 30.05.77. E) Io,l 7«T(Н1> >>е> 20 (51) (1. Кл. - D 030 15!12 Говударствеииый ком...
560016Анализатор плотности распределения
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик 726544 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 280676 (21) 2380060/18-24 с присоединением заявки 89(23) Приоритет— Опубликовано 050480. Бюллетень ¹ 13 (51)М. Кл.2 G 06 G 7/52 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК (088.8) Дата опубликования...
726544Способ контроля поверхностного слоя полупроводникового монокристалла
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскмх Соцмалмстичеснмк Республмк 763751 (6l) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено О!.02.79 (21} 2713101/18-25 с присоединением заявки .%— (23) Приоритет— (51) М. Кл G 0l N 23/207 Н 01 1 21/66 Государственный комитет Опубликовано 15.09.80. Бюллетень №34 {53) УДК 548.73: :621 ..382 (088.8) по делам и...
763751Устройство для исследования совер-шенства структуры монокристалли-ческих слоев
Союз Советскми Социелмстмчесммх Республик ОП ИСДНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ()800836 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.03.79 (2l ) 2731193/18-25 (5 I ) M. Кл. С 01 М 23/20 с присоедннением заявки М 3ЬеудерстееннмМ кемнтет СССР ав делам нзебретеннй N Ртнрмтнй (23) Приоритет (53) УДК548.73: :543.53 (088.8) Опубликовано 30.01.81. Бюллетень 34...
800836Генератор импульсов
Союз Советских Соцнвлксткческкх республик ОП ИГРАНИ Е ИЗО6РЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii)813?08 (6I ) Дополнительное к авт. с вид-ву {22) Заявлено 25.05.79 (2l ) 2770532/18-21 с присоединение«а заявки М— (23) Приоритет Опубликовано 15.03.81. Бюллетень РЙ10 Дата опубликования описания 18.03.81 (51)N. 3(л. H 03 К 3/02 Ввударсте«хньй как«тат CCCP вв делан из«брат...
813708Рентгеновский спектрометр длясинхротронного источника излучения
Сеез Севетския Сециалистическик Ресвублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВ ИТВЛЬСТВУ < 817553 {61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Завалено" 2906.79 (21) 2811304/18-25 с нрнсоединением заявки й9— G 01 N 23/207 (23) ПриОритет Госуяарствеквык кокитет СССР яо амаи изобретения и открытка (53) УДК 648.73 (088.8) Опубликовано 300381. Бюллетень Н9 12 Дата опубликования опис...
817553Способ определения профиля распределенияструктурных искажений b поверхностномслое монокристалла
Союз Советскнк Соцналистмческих Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ Опубликовано 15.0581. Бюллетень № 18 (51)М. Кл G 01 и 23/20 Государствеииый комитет СССР ио делам изобретений и открытий (53) УДК 548.73 (088.8) Дата опубликования описания 150581 A.Ì.Àôàíàñüåâ, Л.Д.Буйко, P.Ì.Èìàìoâ, М.В.,Ковальчук, В.Г.Кон и Э.Ф.Лобанович 1 с 3 Институт кристаллогр...
830206Способ исследования структурного совершенства поверхностного слоя монокристалла
Союз Советских Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОИЖОМУ Св НИЛЬСТВУ » 894500 {б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 1605.80 (2! ) 2924064/18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (51)М. КЛ.З G 0l N 23/207 Государственный коиитет СССР во левам изобретений н открытий Опубликовано 30 12,&1, Бюллетень ИЯ 4& Ю)НРС 548.735 (088.8) Дата опубликовани...
894500Способ контроля поверхностного слоя полупроводникового монокристалла и трехкристалльный рентгеновский спектрометр для осуществления способа
Союз Советских Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А8ТОРСКОМУ С8И ТИЗЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (т 763751 (22) Заявлено 160580 (21) 2924065/18-25 (51) М, Кл. с присоединением заявки Ио 2924066/18-25 G 01 N 23/207 ГосударствеиинЯ комитет СССР no aeneas бpииЯ и откРытиЯ (23) Приоритет Опубликовано 301281 Бюллетень йо 48 (SS) V 548.735 (088.8) Дата опу...
894501Способ определения структурных характеристик тонких приповерхностных слоев монокристаллов
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ, заклю .чающийся в том, чтб исследуемый кристалл облучают коллимированным пучком рентгеновского .излучения, выводят в положение, соответствующее дифракционному отражению в условиях полного внешнего отражения, путем поворота исследуемого кристалла и измеряют интенсивность дифрагированного изл...
1103126Способ определения структурных характеристик монокристаллов
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТ НЫХ, ХАРАКТЕРИСТИК МОНОКРИСТАЛЛОВ, заключающийся в облучении монокрис талла коллимированным пучком монохроматического рентгеновского излучения , ориентации монокристалла в положение, соответствующее дифракционному отражению в геометрии Лауэ, и исследовании углового распределения интенсивности вторично-эмиссионного излучения путем вращения кристалла вокру...
1133519Устройство для исследования структурного совершенства тонких приповерхностных слоев монокристаллов
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА ТОНКИХ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ , содержащее источник рентгеновского излучения, кристалл-монохроматор , детектор дифрагированного излучения , детектор вторичной.эмиссии в виде газопроточной камеры, в которой расположены держатель образца и электрод, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможно...
1173278Рентгенографический способ выявления дефектов структуры кристаллов
Изобретение относится к Области исследования реальной структуры монокристаллов методом рентгеновской типографии . Способ позволяет выявлять -дефекты структуры в тонких приповерхностных слоях порядка долей микрона. Исследуемый кристалл выводят в положение дифракционного отражения в геометрии Лауэ для плоскостей, отклоненных от нормали к поверхности на угол 3-5°. Далее пово...
1226209Рентгенодифракционный способ исследования структурных нарушений в тонких приповерхностных слоях кристаллов
Изобретение позволяет получать с высокой чувствительностью информацию о структуре тонких приповерхностных слоев до толщины 1 нм на двухкристальном спектрометре. Угловое распределение интенсивности при различных углах отворота .исследуемого кристалла от точного брэгговского угла определяют с помощью детектора со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскост...
1257482Устройство для измерения влажности семян
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано на зернопунктах и зерноперерабатывающих предприятиях. Цель дополнительного к а.с. N 1402941 изобретения - повышение точности измерения в диапазоне влажности 17-22%. Устройство измерения влажности семян содержит датчики температуры и влажности воздуха, функциональный преобразователь, блок дифференцирования, бло...
1599767Устройство для испытаний на термостойкость покрытия
Изобретение относится к испытательной технике, в частности к испытаниям на термостойкость покрытия на коже. Целью изобретения является приближение условий испытаний к условиям эксплуатации путем воспроизведения в образце не только термоупругих , но и пластических деформаций . Устройства содержит корпус 2, индентер 7 с нагревателями, стол для закрепления и перемещения образца и ме...
1707509Способ определения y-параметров электрических (n + 1)- полюсников
Изобретение относится к информационно-измерительной технике и предназначено для контроля и диагностики электронных объектов. Цель изобретения - повышение быстродействия и точности измерения. Способ предусматривает поочередное изменение величины одного из сопротивлений измерительных мостов, начиная со второго, в диапазоне от ± 50% до ± 100% от исходных значений, измерение токов раз...
1712897Способ определения параметров электрических многополюсников
Изобретение относится к области информационно-измерительной техники и может быть использовано для контроля и диагностирования электронных объектов. Способ определения параметров электрических многополюсников, состоящий из включения каждой пары одноименных зажимов объекта контроля и его модели в смежные плечи измерительных мостов, питании только первого моста, измерения токов разб...
1742754Автономная система горячего водоснабжения
Использование: в промышленных и бытовых системах теплоснабжения. Сущность изобретения: уменьшение затрат на магистральные сети в автономной системе горячего водоснабжения, содержащей баки-аккумуляторы (БА) горячей и холодной воды, тепловой насос с испарителем (И) и конденсатором (К), линию подпиточной воды от магистрального трубопровода и сливной трубопровод, достигается дополнит...
1772531Автономная система горячего водоснабжения
. Использование: в промышленных и бытовых системах теплоснабжения с несколькими источниками теплоты. Сущность изобретения: для уменьшения затрат на магистральные сети путем использования теплоты сливной воды система горячего водоснабжения, содержащая баки-аккумуляторы (БА) горячей и холодной воды, тепловой насос с испарителем (И) и конденсатором (К), линию подпиточной воды и слив...
1818507