Оболенский С.В.

 Использование: микроэлектроника, для контроля степени дефектности и структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: в способе контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин, включающем механическое шлифование, полирование и химическое полирование поверхности контролируемой стороны пластин, измерение структурн...

 Использование: в технологии изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом способа является повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточной дефектности. Сущность: в способе геттерирующей обработки, включающем аморфизацию полупроводниковых структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средни...