ЖДАН АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ
Изобретатель ЖДАН АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ является автором следующих патентов:
Способ определения деформаций
пц 56520 5 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистимеских Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.05.73 (21) 1921042/28 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15.07.77. Бюллетень № 26 Дата опубликвания писания 16.08.77 (51) M. Кл 2 G 01В 7/18 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам и5ооре...
565205Способ получения фотоэлектронной эмиссии
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социалистическив Республик X следует,что фотоэлектроны могут выйти из области полупроводника x > Ь вЂ” (фиг.2). Х QE т.е. иэ тех областей полупроводника, для которых выполняется условие су- ществования отрицательного электронного Сродства. Из условия Е > а следует также, что понижение электронного сродства внешними агентами (Cs,О,ВаО и п...
764009Термоэлектронный катод
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсник Социалистичесник Республик (i 813529 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.03.79 (21) 2740367/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (-1) Ц К„з Н 01 J 1/14 1ооударстаеииый комитет (53) УДК 621.385. .032.213 (088.8) Опубликовано 15.03.81. Бюллетень № 10 Дата опубликования описа...
813529Термоэлектронный катод
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCKOhAV CBHPETEllbCTBV Союз Советскнк Соцналнстнческнк Р уб (и 813530 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.03.79 (21) 2740897/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл з НО! J 1/14 Государствеиимй комитет СССР по делам изовретеиий и открытий Опубликовано 5.03.81. Бюллетень ¹ 10 Дата опубликования описания...
813530Термоэлектронный катод
Союз Советских Социалистических Республик р11824335 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 05,0779 (21) 2792379/18-25 с присоединением заявки М9 (23) Приоритет Опубликовано 23,0481 Бюллетень й9 15 (51)М К, 3 Н 01 Т 1/14 Государственный комитет СССР по аелам изобретений и открытий (53) УДК 621.385.Q32.213 (088.8.) / Дата опубликования описа...
824335Способ получения термоэлектронной эмиссии
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ с катода с полупроводниковым эмиссионным покрытием на керне путем приложения внешнего ;напряжения и нагрева: катода, отличающийся тем, что, с целью повышения эмиссионной способности катода за счет снижения контактного барьера металл керна - эмиссионное покрытие, производят непрерывное облучение катода светом в его рабочем режиме. . 2.С...
1034093Криостат
КРИОСТАТ, соаержащйй вакуумную камеру с установленным в ней обьектоаермсателем, выполненным из ма териала с высгасим коэффициентом тепло- , провоаности, сосуа Дьюара цля жиакого , хлааагента, установленные в камере у ; г. обьектоаержатепя и в сосуае Дьюара элект ронагреватели и трубку аля поавоаа газо - образного хлааагента из сосуца Дьюара в камеру, о Тли ч a ю ш° и и с...
1043439Способ определения параметров электронных состояний на поверхности полупроводниковых автокатодов
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЗЛЕКТРОНИз1Х СОСТОЯНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ АВТОКАТОДОВ,. включающий измерение параметров автокатода и обработку полученных данных, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и точности измерений и сокращения времени измерения, катод охлаждают до температуры гг. Л где й - энергетическое разрешение в функции плотности...
1072144Способ определения параметров пограничных состояний в мдп- транзисторах
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГРАНИЧНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЬадП-ТРАНЗИСТОРАХ , включающий охлаждение транзистора , измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения при фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, отличающийс я тем, что, с целью увеличения чувствительности способа, транзистор охлаждают до т...
1095115Криостат
КРИОСТАТ по авт. св. № 1043439., отличающийся тем, что, с целью снижения температуры в рабочей камере при сохранении расхода хладагента и энергозатрат, Б верхней части трубки для подвода газообразного хладагента выполнено по крайней мере одно капиллярное отверстие для сообщения кольцевого зазора между соос-. ными трубками в сосуде Дьюара с полостью трубки для подвода газообразног...
1104342Устройство для измерения эдс холла
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС ХОЛЛА по авт. св. Ло 961501. отличающееся тем. что. с целью повышения точности, в него введены элемент сравнения мгновенной фазы магнитного поля и ключ, включенный между делителем частоты и усилителем, управляющий вход ключа соединен с выходом элемента сравнения мгновенной фазы магнитного поля, причем последний связан с валом двигателя, на котором зак...
1115138Вакуумный криостат
ВАКУУМНЫЙ КРИОСТАТ, содержащий вакуумную камеру с установлен ( ным в ней объектодержателем сосуд Дырара для лшдкого хладагента, расположенные в камере и сосуде Дьюара электронагреватели, размещенную в трубопроводе с образованием между ними кольцевого зазора магистраль для подвода к объектодержателю газообразного хладагента, в которой выполнено по крайней мере одно сквозное отверс...
1182242Способ определения температурного коэффициента работы выхода материала
Изобретение относится к эмиссионной электронике и может быть использовано при исследовании электронных характеристик поверхности твердых тел. Цель изобретения - повышение точности - достигается измерением непосредственно изменения работы выхода при наличии термоэлектронной эмиссии. Исследуемый образец (О) и эталонный электрод (Э) с известной температурной зависимостью φ размещ...
1504687Способ определения параметров полупроводников методом эффекта холла
Изобретение относится к полупроводниковой технике и фотоэлектронике и может быть использовано, для контроля параметров полупроводников. Цель - обеспечение возможности определения сечения фотоионизации примесных центров. Образец снабжают двумя токовыми контактами и четырьмя потенциальными зондами. Воздействуют на охл.ажденный образец магнитным полем с одновременным облучением повер...
1712987Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения
Назначение: изобретение относится к области полупроводниковой техники и фотоэлектроники и может быть использовано для контроля однородности фоточувствительности полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: поверхность пластин сканируют лазерным лучом. Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования. Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил. СОЮЗ СО...
1785050Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии мдп-транзисторов
Сущность изобретения: измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и истоком-стоком при потенциале подложки, равном потенциалу истока-стока. Измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и подложкой при тех же условиях. Изменяют высокочастотные вольтфарадные характеристики в цепи исток-сток и в цепи подложки. По измеренны...
1835567