PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЖДАН АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ

Изобретатель ЖДАН АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ является автором следующих патентов:

Способ определения деформаций

Способ определения деформаций

  пц 56520 5 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистимеских Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.05.73 (21) 1921042/28 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15.07.77. Бюллетень № 26 Дата опубликвания писания 16.08.77 (51) M. Кл 2 G 01В 7/18 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам и5ооре...

565205

Способ получения фотоэлектронной эмиссии

Способ получения фотоэлектронной эмиссии

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социалистическив Республик X следует,что фотоэлектроны могут выйти из области полупроводника x > Ь вЂ” (фиг.2). Х QE т.е. иэ тех областей полупроводника, для которых выполняется условие су- ществования отрицательного электронного Сродства. Из условия Е > а следует также, что понижение электронного сродства внешними агентами (Cs,О,ВаО и п...

764009

Термоэлектронный катод

Термоэлектронный катод

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсник Социалистичесник Республик (i 813529 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.03.79 (21) 2740367/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (-1) Ц К„з Н 01 J 1/14 1ооударстаеииый комитет (53) УДК 621.385. .032.213 (088.8) Опубликовано 15.03.81. Бюллетень № 10 Дата опубликования описа...

813529

Термоэлектронный катод

Термоэлектронный катод

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCKOhAV CBHPETEllbCTBV Союз Советскнк Соцналнстнческнк Р уб (и 813530 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.03.79 (21) 2740897/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл з НО! J 1/14 Государствеиимй комитет СССР по делам изовретеиий и открытий Опубликовано 5.03.81. Бюллетень ¹ 10 Дата опубликования описания...

813530

Термоэлектронный катод

Термоэлектронный катод

  Союз Советских Социалистических Республик р11824335 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 05,0779 (21) 2792379/18-25 с присоединением заявки М9 (23) Приоритет Опубликовано 23,0481 Бюллетень й9 15 (51)М К, 3 Н 01 Т 1/14 Государственный комитет СССР по аелам изобретений и открытий (53) УДК 621.385.Q32.213 (088.8.) / Дата опубликования описа...

824335


Способ получения термоэлектронной эмиссии

Способ получения термоэлектронной эмиссии

  1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ с катода с полупроводниковым эмиссионным покрытием на керне путем приложения внешнего ;напряжения и нагрева: катода, отличающийся тем, что, с целью повышения эмиссионной способности катода за счет снижения контактного барьера металл керна - эмиссионное покрытие, производят непрерывное облучение катода светом в его рабочем режиме. . 2.С...

1034093

Криостат

Криостат

  КРИОСТАТ, соаержащйй вакуумную камеру с установленным в ней обьектоаермсателем, выполненным из ма териала с высгасим коэффициентом тепло- , провоаности, сосуа Дьюара цля жиакого , хлааагента, установленные в камере у ; г. обьектоаержатепя и в сосуае Дьюара элект ронагреватели и трубку аля поавоаа газо - образного хлааагента из сосуца Дьюара в камеру, о Тли ч a ю ш° и и с...

1043439

Способ определения параметров электронных состояний на поверхности полупроводниковых автокатодов

Способ определения параметров электронных состояний на поверхности полупроводниковых автокатодов

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЗЛЕКТРОНИз1Х СОСТОЯНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ АВТОКАТОДОВ,. включающий измерение параметров автокатода и обработку полученных данных, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и точности измерений и сокращения времени измерения, катод охлаждают до температуры гг. Л где й - энергетическое разрешение в функции плотности...

1072144

Способ определения параметров пограничных состояний в мдп- транзисторах

Способ определения параметров пограничных состояний в мдп- транзисторах

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГРАНИЧНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЬадП-ТРАНЗИСТОРАХ , включающий охлаждение транзистора , измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения при фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, отличающийс я тем, что, с целью увеличения чувствительности способа, транзистор охлаждают до т...

1095115

Криостат

Криостат

  КРИОСТАТ по авт. св. № 1043439., отличающийся тем, что, с целью снижения температуры в рабочей камере при сохранении расхода хладагента и энергозатрат, Б верхней части трубки для подвода газообразного хладагента выполнено по крайней мере одно капиллярное отверстие для сообщения кольцевого зазора между соос-. ными трубками в сосуде Дьюара с полостью трубки для подвода газообразног...

1104342


Устройство для измерения эдс холла

Устройство для измерения эдс холла

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС ХОЛЛА по авт. св. Ло 961501. отличающееся тем. что. с целью повышения точности, в него введены элемент сравнения мгновенной фазы магнитного поля и ключ, включенный между делителем частоты и усилителем, управляющий вход ключа соединен с выходом элемента сравнения мгновенной фазы магнитного поля, причем последний связан с валом двигателя, на котором зак...

1115138

Вакуумный криостат

Вакуумный криостат

  ВАКУУМНЫЙ КРИОСТАТ, содержащий вакуумную камеру с установлен ( ным в ней объектодержателем сосуд Дырара для лшдкого хладагента, расположенные в камере и сосуде Дьюара электронагреватели, размещенную в трубопроводе с образованием между ними кольцевого зазора магистраль для подвода к объектодержателю газообразного хладагента, в которой выполнено по крайней мере одно сквозное отверс...

1182242

Способ определения температурного коэффициента работы выхода материала

Способ определения температурного коэффициента работы выхода материала

  Изобретение относится к эмиссионной электронике и может быть использовано при исследовании электронных характеристик поверхности твердых тел. Цель изобретения - повышение точности - достигается измерением непосредственно изменения работы выхода при наличии термоэлектронной эмиссии. Исследуемый образец (О) и эталонный электрод (Э) с известной температурной зависимостью φ размещ...

1504687

Способ определения параметров полупроводников методом эффекта холла

Способ определения параметров полупроводников методом эффекта холла

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и фотоэлектронике и может быть использовано, для контроля параметров полупроводников. Цель - обеспечение возможности определения сечения фотоионизации примесных центров. Образец снабжают двумя токовыми контактами и четырьмя потенциальными зондами. Воздействуют на охл.ажденный образец магнитным полем с одновременным облучением повер...

1712987

Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения

Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения

  Назначение: изобретение относится к области полупроводниковой техники и фотоэлектроники и может быть использовано для контроля однородности фоточувствительности полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: поверхность пластин сканируют лазерным лучом. Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования. Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил. СОЮЗ СО...

1785050


Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии мдп-транзисторов

Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии мдп-транзисторов

  Сущность изобретения: измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и истоком-стоком при потенциале подложки, равном потенциалу истока-стока. Измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и подложкой при тех же условиях. Изменяют высокочастотные вольтфарадные характеристики в цепи исток-сток и в цепи подложки. По измеренны...

1835567