ОВСЯННИКОВ ВЯЧЕСЛАВ ДМИТРИЕВИЧ
Изобретатель ОВСЯННИКОВ ВЯЧЕСЛАВ ДМИТРИЕВИЧ является автором следующих патентов:
Способ фотоочувствления полупроводниковых пленок
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ нн 567l59 Союз Советския Социалистических Республик (бl) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.01.75 (21) 2098552/12 (51) М. Кл.2 6 036 13/00 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 30.07.77. Бюллетень № 28 Дата опубликования описания 01.09.77 Гасурврственный комитет Совета Министров СССР аа делам изобрет...
567159Оптоэлектронное устройство для определения интеграла типа свертки
618758 25 стями. При последовательном нанесении слоев полупроводника возникает сильное технологическое взаимовлияние, ухудшающее свойсва обоих слоев . Это взаимовлияние обусловлено диффузией материалов, входящих в состав слоев в процессе их нанесения и во время последующих обработок с целью фотоочувствления. Взаимозависимость слоев требует подбора совместимых в технологическо...
618758Устройство для авторегулирования температуры
Союз Советсиин Социапистическин Республик ОП ИСАНИЕ И306РЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ()953629 (6l ) Дополнительное к авт. сеид-ву (5I)M. Кл. (22) Заявлено 08. 08. 80 (21) 2973017/18-24 с присоединением заявки йй 05 D 23/19 фкуднрстнанный комитет СССР в денни нэабретений н открытий (2В)Приоритет ОпУбликовано 23. 08.82. Бюллетень Яе 31 дата опубликования описания 23....
953629Окно криостата для оптических и спектрографических исследований
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сеюз Сееетсннх Сецнаанстичесннх Ресвублнн ри991109 (61)Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 08. 08. 80 (21) 2973754/23-26 с присоединением заявки Йо— (23) Приоритет— Опубликовано 230183. Бюллетень Hо 3 Дата опубликования описания 2ЗР183 Р М К з F 17 С 13/00 F 25 0 3/10 )53)УДК Ы1 59 (088. 8) Государствеииый ко...
991109Чувствительный элемент преобразователя давления
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении гидростатичес ,ких давлений. Цель изобретения увеличение чувствительности устройства . Резистор, используемый в качестве чувствительного элемента преобразователя , изготовлен из полупроводниковой структуры с изотипным переходом на основе компенсированного полупроводникового материала, содержащег...
1312414