МИШИН А.И.

  ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей элемента, он содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке п-типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэле...