ГРИБКОВСКИЙ В.П.
Изобретатель ГРИБКОВСКИЙ В.П. является автором следующих патентов:
Способ определения ориентации полупроводниковых кристаллов
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 0п 5740I1 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.04.76 (21) 2347578!25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опубликовано 23.05.82. Бюллетень Ме 19 (45) Дата опубликования описания 23.05.82 (51)ч К з 6 OIR 31/26 Государственный комитет (53) Ъ ДК 543.25:621..382 (088....
574011Устройство для изменения формы и длительности импульса окг
Союз Советских Социалистимеских Республик О П И С Н И Е (>577864 ИЗОБРЕТЕНИЯ! 6 1 ) . Е О И О Г I f l И Т С, I I > k l 0 (К cl В 1 . i В И . 3- В (221 Заяв,l(но 23.12. > -1 ()1 ) 2 f(!()()7!о,„!(т !Il (53! У;Е,K ()21., 375.
577864Способ управления излучением стримеров
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ (i i) 578672 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.03.76 (21) 2341583 24-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 23.05.82 Бюллетень ¹ 19 (45) Дата опубликования описания 23.05.82 (51) 11 Кл 3 Н 05В 33/08 Государственный комитет (53) УД1 621.382 (088,...
578672Способ получения просветляющегося оптического фильтра на основе монокристалла
ОПИСДНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик r"631031 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 15.07.75 (21) 2156341/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл г Н 01 S3/10 Госудврстввннмй квинтет СССР оо делам нзооретеннй н открытий Опубликовано 25.07.79. Бюллетень № 27 Дата опубликования описания...
631031Способ определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводников
1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ПОЛЯРНОСТИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанный на помещении образца в жвдкость и визуальном наблюдении на его поверхности фигур, отличающийся тем, что, с целью упрощения , повышения экспрессности и достоверности, образец помещают в диэлектрическую жидкость с удельным сопротивлением р Ю - 10 Ом-см и диэлектрической проницаемостью S 4...
1045785Способ формирования субмикросекундных импульсов лазерного излучения
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СУБМИКРОСЕКУНД НЫХ ИМПУЛЬСОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий возбуждение активной среды и воздействие излуче, ния на просветляющуюся среду и среду, обладающую двухфотонным поглощейи ем, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности генерационных параметров и увеличения энергии импульсов, воздействуют излучением на монокристалл теллурида цинка, являкици...
1094543