ЯБЛОНСКИЙ Г.П.
Изобретатель ЯБЛОНСКИЙ Г.П. является автором следующих патентов:
Способ определения ориентации полупроводниковых кристаллов
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 0п 5740I1 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.04.76 (21) 2347578!25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опубликовано 23.05.82. Бюллетень Ме 19 (45) Дата опубликования описания 23.05.82 (51)ч К з 6 OIR 31/26 Государственный комитет (53) Ъ ДК 543.25:621..382 (088....
574011
Способ управления излучением стримеров
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ (i i) 578672 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.03.76 (21) 2341583 24-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 23.05.82 Бюллетень ¹ 19 (45) Дата опубликования описания 23.05.82 (51) 11 Кл 3 Н 05В 33/08 Государственный комитет (53) УД1 621.382 (088,...
578672
Способ определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводников
1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ПОЛЯРНОСТИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанный на помещении образца в жвдкость и визуальном наблюдении на его поверхности фигур, отличающийся тем, что, с целью упрощения , повышения экспрессности и достоверности, образец помещают в диэлектрическую жидкость с удельным сопротивлением р Ю - 10 Ом-см и диэлектрической проницаемостью S 4...
1045785