ВИКУЛИН ИВАН МИХАЙЛОВИЧ
Изобретатель ВИКУЛИН ИВАН МИХАЙЛОВИЧ является автором следующих патентов:
Измерительный преобразователь давления
(ii) 586346 Союз Советских Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 09.11.76 (21) 2417001/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.12,77. Бюллетень № 48 (45) Дата опубликования описания 03.01.78 (51) М Кл а G 01Ь9/14 G 01L 11/00 Государственный комитет Совета Минис...
586346Датчик температуры
изобретения И. Чи (7! ) Заявитель (54} ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ Причина этого заключается в том, что в качестве термочувствительного элемента используется лишь канал. полевого транзистора, действующий в качестве терморезистора, а уси" лительные свойства полевого транзистора не используются. Цель изобретения - повышение чувст вительности датчика температуры. Поставленная цель дости...
993042Устройство для измерения вольт-фарадных характеристик
УСТРОЙСТВОДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК, содержащее генератор, первый выход которого включен в первичную обмотку трансформаторного моста переменного тока, вторичная обмотка которого составляет два плеча моста, в два других плеча которого соответственно включены обраэцогалй резистор и конденсатор с клеммами для подключений испытуемого прибора, к одной клемме дпя подкл...
1100588Тонометр
ТОНОМЕТР, содержащий йсточник электропитания, схему индикации, соединительные проводники, диэлектрическое основание с электродами, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерения, он дополнительно содержит электронный сумматор и резисторы, причем электроды вьтолнены в виде прямоугольных пластин и соединены через один с источником питания, a остальные через резисторы -...
1138110Датчик температуры
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ по авт.св. № 993042, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, два из четьфех полевых транзисторов, включенные в противоположные плечи моста, вьшолнены на основе кремния с концентрацией легирукяцей примеси в канале 10 -10 , а два других полевых транзистора - с концентрацией примеси в канале 5 - . (Л :о ас со со „„SU„„1198390 СОЮЗ СОВЕТСКИХ...
1198390Датчик температуры с частотным выходом
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДОМ, содержащий однопереходный транзистор, конденсатор и полевой транзистор с р -и -переходом, затвор которого соединен с истоком, с конденсатором и с эмиттером однопереходного транзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, в него введен второй полевой транзистор с встроенным каналом и изолированным затвором, соединенны...
1201690Способ определения диаметра пучка источника излучения
Изобретение относится к фотометрии и позволяет упростить и удешевить процесс определения диаметра пучка. Темновое сопротивление фотоприемника определяют при отсутствии освещения омметром. 5. После осве Цения фоточувствительного слоя 1 фотоприемника контролируемь1М излучением измеряют его световое сопротивление при интенсивности, соответствующей режиму работы фоторезистора на учас...
1383272Фотоприемное устройство
Изобретение относится к устройствам для измерения интенсивности света и может быть использовано в измерительной технике и автоматике. Целью изобретения является повышение линейности зависимости выходного сигнала фотоприемного устройства от освещенности фоторезисторов и снижение погрешности, вызванной колебаниями температуры. Фотоприемное устройство содержит измерительный мост фото...
1573354Магнитная головка
Изобретение относится к устройствам для считывания информации с магнитных лент и магнитных дисков, а именно к конструкциям полупроводниковых воспроизводящих магнитных головок. Целью изобретения является увеличение чувствительности магнитной головки. Магнитная головка представляет собой магнитопровод с двумя зазорами, в одном из которых размещается полупроводниковый магниточувстви...
1677716Способ изготовления кремниевых магниточувствительных транзисторов
Использование: технология изготовления магниточувствительных и других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: магниточувствительные транзисторы облучают до герметизации потоком электронов дозой 1013-3 10 с энергией не менее 4 МэВ, а затем обжигают при 480-520 К в течение не менее 2 ч. 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ сОциАлистических РЕСПУБЛИК (si>s Н 01 1 21/263 ГОСУДАРСТВЕНН...
1811637