ЛАТЫШЕВ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ

  —- --Ъ Г (ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ! iij 5885I7 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.04.76 (21) 2345172/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.01.78. Бюллетень № 2 (45) Дата опубликования описания О!.02.78 (51) М. Кл.2 G 01К 31/26 G 01N 27/00 Государственный комитет...

  О СА ИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ и 673943 К АВТОРСКОМУ СВИДЙТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 02.08.76 (21) 2391265/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.2 G 01 R 33/12 Гооударотоеииый иомитет СССР оо делам иееоретоиий и открытий (53) УДК 621.317..44 (088. 8) Опубликовано 15;07.79. Бюллетень № 26 Дата опубликования описзния 25.07.79 (...

  с Фс с - сс с k Ессg сс(с j .. .", с1ц q с сбс >794705 Союз Советских Сопиалистичесиих Республик ИЗО БР ЕТЕ Н И SI К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.Ф.: 7I, :. i!i==(61) Дополнительное к авт. свид-ву 693530 (22) Заявлено 30.01.79 (21) 2719794/18-09 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 07.01.81 Бюллетень ¹ 1 (45) Дата опубликования описания 20.02.81 (51) 31.К...

  О П И С А Н И Е (802739 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсиик Социалистмчесииз Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22)Заивлено02.03.79 (2() 2732310/23-06 5t )щ 3 с присоединением заявки .% Р 25 В 9/02 Гасударственный комитет (23) Приоритет по делам изобретений 1I открытий Опубликовано 07.02.81. Бюллетень .% 5 Дата опубликования описания 07.02...

  Союз оветсинк Соцналнстнчесинк республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и 926754 (6 l ) Дополнительное к а вт. с вид-ву (22) Заявлено 02. 1О. 78 (21) 2672395/18-09 с присоединением заявки М(5l )N. К.в. Н 03 В 7/14 3Ьвудврстюнвй квинтет СССР ао делан взоеретевв11 н втерытвй (23) Приоритет (53) УДК 621. 373 (088. 8) Опубликовано 07, 05, 82. Бюллетень М 17...

  Изобретение может использовлио для отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Способ контроля качества МДП ИС с тестовыми транзисторами заключается в следующем. Отклю чают напряжение питания ИС и подвергают ее облучению -квантами. Подают после каждого цикла облучения на Р1С и тестовые транзисторы возрастающее от нуля напряжение питания и контролируют правильность...

  Изобретение относится к технике электронной микроскопии и может быть использовано в технологии полупроводников, Целью изобретения является повышение оперативности и качества электронномикроскопических исследований процессов молекулярно-дучевой эпитаксии непосредственно в приборе за счет обеспечения более чистых условий взаимодействия молекулярного пучка с образцами и вариации эти...

  Изобретение относится к микроэлектро нике и может быть использовано при изготовлении транзисторов в изделиях, эксплуатируемых в условиях воздействия радиации. Сущность: готовые структуры биполярных транзисторов облучают электронами флюэнсом (10 5-5,1016)см.2, затем проводят отжиг при 280-320°С в течение 0,5-1 ч, после этого проводят в Планерную сторону структуры имплантац...