ГЕВОРКЯН В.А.
Изобретатель ГЕВОРКЯН В.А. является автором следующих патентов:
Способ получения полупроводниковых структур
Союз Соввтскнх Соцналксткческих Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.04.76(21) 2351166/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.786юллетеиь tl4i 31 (11) 588851 Я (51) М. Кл. Н 01 L 21/368 Гввуйврвтввнна и квм»тат Свввтв Министров СССР в делам изабрвтвний и еткрктий (53) УДК...
588851Способ обработки монокристаллов корунда
СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА, ы - А t О J, включающий облучение их потоком электронов, , отличающийся тем, что, с целью повьппения прозрачности монокристаллов в ультрафиолетовой области спектра, обработку ведут потоком электронов с энергией 210 510 эВ дозой Ю эл/см. (Л ел л г 1 Ю fff tO Доза oS f fftn/Jt, 3A./fff СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 4151) С...
1111515Способ обработки кристаллов рубина
СОЮЗ СООЕТСНИХ NU РЕСПУБЛИК ОУ (И) (50 4 С 09 К 1!/04 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЬ)Й КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПЪЙ (46) 15.09.88 Бюл. В 34 (21) 3752429/23-26 (22) 06.06.84 (72) P.P.Àòàáåêÿí, В.А.Геворкян, P.Ê.Åýîÿí, Г.Н.Ерицян и В.Х.Саркисов (53) 621 3 032 35(546 623 (088 8) (56) Невструев В.Б. Труды ФИАН СССР, т.79, с.9 ° 19...
1256399