Крымко М.М.

 Прибор с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой сформированы сдвиговые регистры и выходное устройство, а на тыльной размещены светочувствительные элементы, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности и разрешающей способности, светочувствительные элементы выполнены в виде структуры прозрачный металл - диэлектрик - полупроводн...

 Фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спектральной чувствительности, средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых противо...

 1. Прибор с зарядовой связью, включающий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в коротковолновой области спектра, поверх затворов переноса сформирован слой люминофора. 2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя люминофора l равна...

 Способ управления выходным устройством прибора с зарядовой связью (ПЗС), включающий подачу напряжения на выходной затвор ПЗС, постоянного напряжения на сток транзистора сброса и импульсного напряжения на затвор транзистора сброса, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня когерентной помехи, на выходной затвор ПЗС подается импульсное напряжение, совпадающее по фазе с импульсным напря...

 Фоточувствительная матрица приборов с переносом заряда, включающая полупроводниковую подложку дырочного типа проводимости, легированную индием, эпитаксиальный слой электронного типа, диэлектрический слой SiO2 и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающаяся тем, что, с целью разделения функций считывания и накопления, эпитаксиальный слой на г...

 1. Многосекционная фотоэлектрическая схема с зарядовой связью, содержащая несколько устройств коммутации с усилителями, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества передачи изображения за счет взаимной компенсации неоднородностей разрешающей способности сопряженной с ней оптики и фотоэлектрической схемы, секции фоточувствительной матричной схемы расположены с осевой симметрией и каж...

 Матричная фоточувствительная микросхема с зарядовой связью с планарным размещением выводом, выполненная на полупроводниковой подложке и содержащая активную область и пассивные области с высоколегированными слоями на рабочей и тыльной поверхностях подложки, отличающаяся тем, что, с целью повышения частотного предела работы фоточувствительной матрицы, площадь высоколегированного слоя на раб...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к приборам с переносом заряда. Целью изобретения является упрощение конструкции сдвигового регистра и упрощение управления им. Сдвиговый регистр содержит канал переноса. Канал расположен в плоскости полупроводниковой подложки. Стоп-каналы имеют тип проводимости, противоположный каналу переноса. Фазовый электроды сдвигового рег...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, преимущественно к технике приборов с зарядовой связью. Целью изобретения является снижение вероятности короткого замыкания между электродами разных поликремниевых слоев. Для этого в многослойной электродной структуре контактные окна к электродам каждого вышележащего слоя выполнены на участках, свободных от электродов нижележащего слоя, пр...

 Использование: производство интегральных схем и полупроводниковых приборов различного назначения. Сущность изобретения: в способе операцию ионного легирования для создания ступенчатого профиля легирования осуществляют в три стадии, последовательно вскрывая в проводящем слое окна, равные размеру каждой ступеньки профиля легирования в вертикальной фазе, начиная с максимального легирования,...