ВЫГЛОВСКИЙ В.М.

  УСТРОЙСТВО СОПРЯЖЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ВДП-ЛОГИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ, выполненное на МДП-транзисторах, подложки которых соединены с положительным полюсом источника питания ВДП- устройства, причем один из ВДП-транзисторов вьтолняет функцию переключения, а другой - нагрузки, исток переключательного транзистора подключен к выходу биполярного устройства, сток этого же транзистора соединен с вы...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА МДП-ТРАНЗИСТО- РАХ, включающий подзатаорное окисление кремниевой подложки, нанесение слоя нитрида кремния, формирование защитной маски, ионное легирование неактивных областей, стравливаниес них нитрида кремния, локальное окисление этих областей, стравливание нитрида кремния с активных облас- •тей, -нанесение слоя поликремния, фрр" м...