Макаров Ю.Н.

 Способ разработки нефтяных и газовых месторождений, включающий бурение скважин на пласт-коллектор, разгрузку пород нарушением сплошности среды и отбор пластового флюида, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности разработки путем увеличения охвата пласта разгрузкой, разгрузку пород пласта-коллектора осуществляют путем отбора флюида из выше или нижележащего разгружающего пласта...

 Изобретение может быть использовано при производстве полупроводников для электронной промышленности. Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия из смеси азота и паров алюминия включает размещение в ростовой камере (3) друг напротив друга подложки (4) и источника (5) алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур источника (5) и подложки (4), обеспечивающих...

 Изобретение может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, способных работать при высоких температурах. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания объемных монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности подложки (10) в реакторе горизонтального типа включает подачу в камеру реактора с установле...