Рамм М.Г.

 Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 - 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника. Изобретение относится к области получ...

 Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы. Цель изобретения - повышение морфологического и структурного совершенства слоев. Способ включает конденсацию паров источника карбида кремния на подложку карбида...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению на основе SiC источников света с излучением в зеленой области спектра. Цель изобретения - увеличение квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра. Эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости наращивают на подложку в высокотемпературной печи. Наращивание ведут путем сублимации в ваку...

 Изобретение может быть использовано при производстве полупроводников для электронной промышленности. Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия из смеси азота и паров алюминия включает размещение в ростовой камере (3) друг напротив друга подложки (4) и источника (5) алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур источника (5) и подложки (4), обеспечивающих...