Роенков А.Д.

 Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 - 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника. Изобретение относится к области получ...

 Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 - 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 - 50 л/ч и осаждение ведут при температ...

 Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы. Цель изобретения - повышение морфологического и структурного совершенства слоев. Способ включает конденсацию паров источника карбида кремния на подложку карбида...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в оптоэлектронике, например в качестве индикатора. Цель изобретения - повышение эффективности излучения в голубой области спектра - достигается тем, что известный источник света дополнительно содержит расположенный на подложке любого политипа SiC слой политипа 4Н толщиной 5 - 20 мкм концентрацией азота (0,5-1)10...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению на основе SiC источников света с излучением в зеленой области спектра. Цель изобретения - увеличение квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра. Эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости наращивают на подложку в высокотемпературной печи. Наращивание ведут путем сублимации в ваку...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света с излучением в зеленой, голубой и других областях спектра в зависимости от выбранного политока подложки. Целью изобретения является обеспечение воспроизводимости параметров. На подложке из SIC формируют p-n-переход, методом эпитаксии, сначала наносят слой SIC p-типа проводимости, а затем слой...

 Способ изготовления светодиодов, излучающих в фиолетовой области спектра. Изобретение может найти применение в оптоэлектронике, например, в качестве цифробуквенных индикаторов, эталонных источников света. Способ позволяет расширить область применения за счет возможности использования в качестве подложек любых политипов SiC. Способ включает наращивание сублимаций на подложку SiC любого пол...

 Изобретение может быть использовано при производстве полупроводников для электронной промышленности. Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия из смеси азота и паров алюминия включает размещение в ростовой камере (3) друг напротив друга подложки (4) и источника (5) алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур источника (5) и подложки (4), обеспечивающих...