БУЛГАКОВ С.С.

  1. ТРАНЗИСТОРНАЯ ЯЧЕЙКА МОЩНОГО СВЧ-ПЛАНАРНОГО ТРАНЗИСТОРА, состоящая из эмиттерных областей одного типа проводимости, базовой области другого типа проводимости, коллекторной области, состоящей издвух эпитаксиальных слоев с различ- Hbw удельным сопротивлением того же типа проводимости, что и эмиттерных областей, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения полной устойчивости транзи...

  МОЩНАЯ ВЧ(СВЧ) ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, содержащая полупроводниковый кристалл с изготовленными на нем транзисторными ячейками, снабженными пленочными балластными резисторами, отличающаяс я тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, повьшения мощности и КПД на высоких частотах, резистор каждой ячейки выполнен клиновидной формы и расположей суженной частью в сто...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА МДП-ТРАНЗИСТО- РАХ, включающий подзатаорное окисление кремниевой подложки, нанесение слоя нитрида кремния, формирование защитной маски, ионное легирование неактивных областей, стравливаниес них нитрида кремния, локальное окисление этих областей, стравливание нитрида кремния с активных облас- •тей, -нанесение слоя поликремния, фрр" м...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (l 9) - (11) (51)5 Н 01 L 21/306 ГОСУДАРСТВЕН-ЮЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ HF+e HF +2е HF + е -Н F++ е - Н + F (21) 2762323/25 (22) 04.05.79 (46) 15.07.93. Бюл. 3Ф 26 (72) С.С.Булгаков, А.P.Êîñîïëåòêèí и А.И.Красножон (56) Технологическая карта 490.734.346 тк изготовл...

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ (КСДИ), включающий нанесение окисного слоя на полупроводниковую подложку, фотолитографию, выращивание тонкого термического окисла ..7Е/;---,,я, Hb/iHGT EiiA кремния, воздушную закалку, нанесение слоя золота и диффузию его в кремний, высокотемпературный отжиг в инертной среде , отличающийся тем, что, с целью ув...