Козлов Ю.Ф.
Изобретатель Козлов Ю.Ф. является автором следующих патентов:
Способ охлаждения объекта каскадной термоэлектрической батареей
Использование: холодильная техника, а именно, охлаждение объекта каскадной термоэлектрической батареей. Сущность изобретения: охлаждение объекта каскадной термоэлектрической батареей основан на дискретном переносе тепла от объекта от каскада к каскаду с промежуточным накоплением тепла на тепловых аккумуляторах при подаче на клеммы батареи регулируемого постоянного стабилизированного тока...
2034207Устройство для обработки поролона раскаленной проволокой
Использование: в области обработки металлических материалов раскаленной проволокой, в частности, при наружной обработке деталей типа тел вращения из поролона. Сущность изобретения: на основании расположена каретка, несущая вал с приводом его вращения. На вал устанавливают деталь, которую обрабатывают проволокой, нагреваемой электрическим током. Проволока имеет возможность перемещения в го...
2066271Способ одностороннего полирования плоских поверхностей деталей
Изобретение относится к области отделочной обработки плоских прецизионных поверхностей, в частности к химико-механическому полированию пластин кремния большого диаметра. Последние установлены с возможностью вращения вокруг своих осей и оси шпинделя, расположены эксцентрично относительно оси вращения инструмента. Выбор отношения скорости вращения шпинделя деталей к скорости вращения полиро...
2159173Магнитооптический преобразователь, способ выращивания пленки, способ визуализации неоднородного магнитного поля (варианты) и устройство для его осуществления
Изобретение относится к магнитооптике. В магнитооптическом преобразователе на прозрачную подложку нанесена монокристаллическая пленка феррит-граната. Пленка выполнена с такой магнитной анизотропией, что вектора намагниченности в ней в отсутствие магнитного поля отклоняются от ее плоскости на угол не более 25°. Поле насыщения пленки вдоль нормали к ней составляет от 10 до 20000 Э. Техничес...
2168193Способ химической обработки пластин кремния
Использование: при производстве пластин монокристаллического кремния для изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: для окисления поверхности кремниевых пластин используют водный раствор надсернокислого сульфата аммония. Техническим результатом изобретения является получение защитного слоя диоксида кремния высокой чистоты и плотности без увеличения стоимости процесса.Данный способ об...
2228563