PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СУРОВЦЕВ И.С.

Изобретатель СУРОВЦЕВ И.С. является автором следующих патентов:

Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины

Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины

  О П :И;.C"À.",3 и E изоб итиния Союз Советских Соцмалмстммескмх Респубпмк »599662 К АВТОРСКОМУ СВИДЙТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 01.08.76 (21}2387659/18-25 с присоединением заявки № (23) Прнорытет 2 (5l) М. Кл. H C1 4 21/263 Государстаеккый комитет Совета Мкнкстроа СССР ко делам кзооретенкй и открыткй (43) Опублыковано25.10.78.Бюллетень № 38 (53) у...

599662