Войтович Виктор Евгеньевич (EE)
Изобретатель Войтович Виктор Евгеньевич (EE) является автором следующих патентов:

Высоковольтный высокотемпературный быстродействующий тиристор с полевым управлением
Изобретение относится к конструированию высоковольтных высокотемпературных сильноточных тиристоров. Сущность изобретения: в высоковольтном высокотемпературном быстродействующем тиристоре с полевым управлением, содержащем анодную область из высоколегированной подложки p+-типа проводимости, базовую область из последовательных эпитаксиальных слоев n-типа и высокоомного n--типа проводимости, затворну...
2472248
Кристалл ультрабыстрого высоковольтного сильноточного арсенид-галлиевого диода
Изобретение относится к микроэлектронике. Изобретение обеспечивает улучшение динамических свойств, расширение диапазона рабочих напряжений, увеличение плотности токов, повышение термодинамической устойчивости высоковольтных ультрабыстрых арсенид-галлиевых диодов. Сущность изобретения: в конструкции кристалла арсенид-галлиевого диода в эпитаксиальных анодных и катодных областях структуры профиль к...
2472249
Сверхвысокочастотный биполярный p-n-p транзистор
Изобретение относится к конструированию высоковольтных сверхвысокочастотных биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в сверхвысокочастотном биполярном p-n-p-транзисторе, содержащем коллекторную область на основе p+-типа монокристаллической кремниевой подложки, эпитаксиальный p-типа кремниевый слой, диффузионную тонкую n-область, диффузионную p+-типа эмиттерную область и металлические конта...
2485625
Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе галлия и мышьяка
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе соединений галлия и мышьяка содержит высоколегированную монокристаллическую подложку p+-типа проводимости, с разностной концентрацией акцепторной и донорной легирующих примесей не менее чем 3·1018 см-3 и толщиной н...
2531551
Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника
Использование: для изготовления микромощных источников электроэнергии и квантового электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн. Сущность изобретения заключается в том, что квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника на основе контактного энерговзаимодействия радиоактивных материалов - изотопов, излучающих электро...
2654829