PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Думаневич Анатолий Николаевич (RU)

Изобретатель Думаневич Анатолий Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Высоковольтный высокотемпературный быстродействующий тиристор с полевым управлением

Высоковольтный высокотемпературный быстродействующий тиристор с полевым управлением

Изобретение относится к конструированию высоковольтных высокотемпературных сильноточных тиристоров. Сущность изобретения: в высоковольтном высокотемпературном быстродействующем тиристоре с полевым управлением, содержащем анодную область из высоколегированной подложки p+-типа проводимости, базовую область из последовательных эпитаксиальных слоев n-типа и высокоомного n--типа проводимости, затворну...

2472248

Кристалл ультрабыстрого высоковольтного сильноточного арсенид-галлиевого диода

Кристалл ультрабыстрого высоковольтного сильноточного арсенид-галлиевого диода

Изобретение относится к микроэлектронике. Изобретение обеспечивает улучшение динамических свойств, расширение диапазона рабочих напряжений, увеличение плотности токов, повышение термодинамической устойчивости высоковольтных ультрабыстрых арсенид-галлиевых диодов. Сущность изобретения: в конструкции кристалла арсенид-галлиевого диода в эпитаксиальных анодных и катодных областях структуры профиль к...

2472249

Сверхвысокочастотный биполярный p-n-p транзистор

Сверхвысокочастотный биполярный p-n-p транзистор

Изобретение относится к конструированию высоковольтных сверхвысокочастотных биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в сверхвысокочастотном биполярном p-n-p-транзисторе, содержащем коллекторную область на основе p+-типа монокристаллической кремниевой подложки, эпитаксиальный p-типа кремниевый слой, диффузионную тонкую n-область, диффузионную p+-типа эмиттерную область и металлические конта...

2485625

Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе галлия и мышьяка

Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе галлия и мышьяка

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе соединений галлия и мышьяка содержит высоколегированную монокристаллическую подложку p+-типа проводимости, с разностной концентрацией акцепторной и донорной легирующих примесей не менее чем 3·1018 см-3 и толщиной н...

2531551

Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника

Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника

Использование: для изготовления микромощных источников электроэнергии и квантового электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн. Сущность изобретения заключается в том, что квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника на основе контактного энерговзаимодействия радиоактивных материалов - изотопов, излучающих электро...

2654829