Васильевский Иван Сергеевич (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым метаморфным наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникших в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной...

Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникающих в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной наногетеро...