Цуканов Дмитрий Анатольевич (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования наноразмерных структур на поверхности полупроводников для использования в микроэлектронике включает формирование буферного слоя золота моноатомной толщины с образованием упорядоченного двумерного подслоя Si(111)-α√3...