PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Тархов Михаил Александрович (RU)

Изобретатель Тархов Михаил Александрович (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов

Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов

Изобретение относится к области получения сверхпроводящих соединений и изготовления нанопроводников и приборов на их основе, что может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности, в частности для оптического тестирования интегральных микросхем, исследования излучения квантовых точек и в системах квантовой криптографии. Способ включает фор...

2476373

Способ изготовления сверхпроводящих наноэлементов с туннельными или джозефсоновскими переходами

Способ изготовления сверхпроводящих наноэлементов с туннельными или джозефсоновскими переходами

Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных или джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих наноэлементов с туннельными или джозефсоновскими переходами включает формирование нанопроводов из веществ, обладающих сверхпроводящими свойствами, и преобразование их в несверхпроводящие в выбранных разделительных участках за...

2541679

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Использование: для изготовления сверхпроводниковых датчиков излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде меандра, и сверхпроводящих соединительных проводов для соединения секций через токоограничители с контактным...

2581405

Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе в одном технологическом процессе

Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе в одном технологическом процессе

Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к способу создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе. Способ включает нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включая меандр, соединительные провода, контактные площадки и последующее преобразовани...

2645167