Верников М.А.
Изобретатель Верников М.А. является автором следующих патентов:
![Фотоэлектрический преобразователь Фотоэлектрический преобразователь](/img/empty.gif)
Фотоэлектрический преобразователь
Фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спектральной чувствительности, средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых противо...
603284![Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин](/img/empty.gif)
Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин. Для достижения поставленной цели устройство содержит печь с горизонтальной трубой и кварцевую кассету, средство для центровки и удержания пластин, узел регулировки усилия сжатия пластин. Средство для центровки и удержания пластин...
1547619![Способ изготовления полупроводниковых приборов Способ изготовления полупроводниковых приборов](/img/empty.gif)
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния. Цель - повышение выхода годных и улучшение электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре. Для этого при изготовлении полупроводниковых приборов создают двух...
1581124![Биполярный транзистор Биполярный транзистор](/img/empty.gif)
Биполярный транзистор
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Целью изобретения является увеличение надежности биполярных транзисторов за счет снижения перегрева центральных областей транзисторной структуры, что достигается в биполярном транзисторе с полосковыми эмиттерными электродами и двухуровневой системой металлизации эмиттерные контактные окошки расположены по отношению в каждому эмиттерному э...
1582926