МИХАЙЛОВ ПЕТР ГРИГОРЬЕВИЧ

  пщ 60513I ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Йово боветскнх Социалист Веских Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.06.76 (21) 2372739/18-10 (51) М. Кл.г G 01L 9/04 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.04.78. Бюллетень № 16 (45) Дата опубликования описания 05.05.78 Государственный комитет Совета Министров СССР ао...

  О П И С А Н И Е ëåêтромагнитных на>водок со стороны измеряемой среды и одновременно предотвращают деформацию упругого элемента 2 при изменении тем>пературы измеряемой среды за счет того, что металлические сло «, имеющ>ие,различные температурные коэффициенты линейного расширения и соедшнн1ные мехкду собо111 1! c Kiiip) I HM 3 7CWICHToivl c Bblcoким коэффициентом внутреннего тре...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для систем управления и регулирования. Целью изобретения является повышение точности, быстродействия и расширение функциональных возможностей при воздействии нестационарной температуры. Благодаря размещению термоэлемента 5 на поверхности упругого элемента 1, контакти - рующей с измеряемой средой, а тензорезис...

  Изобретение может быть использовано для измерения давления с повышенной точностью за счет уменьшения влияния деформаций в заделке упругого элемента. С этой целью пластина выполнена с буртиком по контуру, а утолщенная часть пластины - по контуру со скосом, причем втулка-основание выполнена полой и своей торцовой поверхностью соединена с верхней плоскостью буртика. Представлены соот...

  Изобретение может быть использовано для измерения давления с повышенной точностью в расширенном диапазоне температур. Цель достигается тем, что на поверхности упругого элемента 1 со стороны тензорезисторов 4 и на противоположной стороне расположен слой с типом проводимости и величиной концентрации носителей, идентичными типу проводимости и величине концентрации носителей тензорези...

  Изобретение может быть использовано для повышения точности измерения и надежности. С этой целью в датчик введены электрические гермовыводы 9, связанные токоподводами с геттерным узлом 7. Геттерный узел выполнен в виде диэлектрической подложки с нанесенной на ее поверхности пленкой из геттерного материала. Для уменьшения времени откачки и контроля остаточного давления воздух откачи...

  Датчик абсолютного давления может быть использован для измерения абсолютного давления с повышенной точностью. С этой целью в вакуумируемой камере размещают геттерный узел, состоящий из пластины 7, расположенной над ниппельным отверстием, и нанесенного на пластину геттерного материала 8. В результате после нагрева датчика достигается более низкое остаточное давление в опорной камер...

  Полупроводниковый чувствительный элемент может быть использован при конструировании и изготовлении датчиков статического и акустического давлений с повышенной чувствительностью и точностью. Чувствительный элемент из монокристаллического кремния спрофилирован так, что в его теле сформирована мембрана 2 с жесткими выступами 4 и утолщенной периферийной частью. В теле мембраны сформир...

  Изобретение относится к области измерительной техники и позволяет расширить эксплуатационные возможности устройства для испытания полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления. Для этого устройство имеет в корпусе 1 воздушный канал 5, связанный с источником давления, и систему регулирования температуры корпуса 1, содержащую термочувствительный элемент 4, задатчик те...

  Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при конструировании и изготовлении датчиков абсолютного давления с высокими метрологическими и эксплуатационными характеристиками. Целью изобретения является повышение метрологических характеристик и увеличение эксплуатационной надежности. Способ вакуумирования реализуется путем осуществления двухэт...

  Изобретение может быть использовано для повышения надежности и расширения технологических возможностей. Это достигается тем, что полупроводниковая мембрана 1 соединяется с диском 6 из стекла, а диск соединяется с металлостеклянным узлом 13 через слой 10 из поликристаллического кремния. Последнее позволяет расширить номенклатуру применяемых материалов. 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦ...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЩЮЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК „„80„„162384 цццц В 23 К 20/26 А1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ю д ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 4622976/28 (22) 23.12 ° 88 (46) 30 ° Ol ° 91 ° Бюл. N 4 (72) В,М,Косогоров, В И Беликов, С Э.Нлифер, П.Г ° ìèõàéëoI3 и H,Д,Малкина (53) 621 ° 791 ° .66 ° 03(088.8) (56) Автор...

  Изобретение относится к технологии изготовления пьезоэлектрических датчиков давления и направлено на повышение чувствительности и расширение диапазона рабочих температур. I Способ изготовления включает заливку герметикой предварительно полученного пьезоэлектрического чувствительного элемента с электрическими выводами , причем перед заливкой герметика на поверхности чувствительног...

  Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам дистанционного измерения давления, и может быть использовано в датчиках для измерения с повышенной точностью давлений жидких и газообразных сред при нестационарных температурных режимах работы (при термоударе). За счет выполнения кольцевой проточки на мембране 2, разделяющей ее на жесткий центр и жесткое кольцо...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления миниатюрных полупроводниковых датчиков неэлектрических величин. Целью изобретения является расширение эксплуатационных возможностей и обеспечение термоциклирования. Это достигается тем, что в устройство, содержащее корпус 1 с электромагнитной обмоткой, источник 20 давления, систему регулирован...

  Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники, в частности к датчикам абсолютного давления, и позволяет повысить точность измерения за счет уменьшения давления остаточных газов в опорной полости и производительность труда при его изготовлении. Датчик абсолютного давления содержит корпус 1, закрепленную в нем мембрану 2, связанный с ней преобразователь 3, помещен...

  Изобретение относится к полупроводниковым датчикам абсолютного давления и может быть использовано при изготовлении миниатюрных датчиков с интегральными схемами. Целью изобретения является повышение точности измерения абсолютных давлений за счет снижения остаточного давления в опорной камере датчика путем эффективной откачки остальных газов. Датчик содержит кремниевую мембрану 1 с...

  Изобретение относится к пьезоэлектрическим датчикам быстропеременных давлений . Целью изобретения является повышение точности измерений в условиях воздействия вибраций. Датчик давления содержит корпус 1 с мембраной 2, пьезоэлемент 3, выполненный в виде цилиндрического пьезомодуля с электродами 4 и имеющий на боковой поверхности кольцевой выступ 5 с выполненной на нем резьбой Коль...

  Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении микроприборов, содержащих кремниевые узлы, в частности полупроводниковых датчиков неэлектрических величин. Цель изобретения - повышение выхода годных и снижение трудоемкости - достигается тем, что нагрев осуществляют до 120-150°С. локальное проплавление осуществляют со стороны кремниевой ба...

  Изобретение относится к химии и металлургии и может быть использовано гри разработке различных узлов: вакуумноплотных вводов, высокотемпературных датчиков и т.д. Цель - повышение выхода годных и обеспечение стабильности характеристик изготавливаемых узлов. На сапфировую подложку наносится пленка кремния. Далее на области кремния наносится слой диффузионно-активного металла - алюм...

  Использование: датчик давления для измерения быстропеременных давлений жидкостей и газов в контрольно-измерительной технике. Сущность изобретения: в корпусе 1 датчика давления с одной стороны закреплена мембрана 2, с другой - основание 3. Между мембраной 2 и основанием 3 по оси симметрии установлены рабочий 5 и компенсационный 6 пьезоэлементы и виброгруз 7. Компенсационный пьезоэ...

  Изобретение может быть использовано при конструировании малогабаритных полупроводниковых датчиков физических величин повышенной точности, работоспособных в широком диапазоне рабочих температур и в условиях быстроизменяющейся температуры измеряемой среды. В интегральном преобразователе давления конфигурация слоя базы 7 термокомпенсирующего n-p-n-транзистора (Т) выполнена в виде дв...

  Использование: при конструировании и производстве миниатюрных датчиков быстропеременных давлений и сил Цель - обеспечение получения стабильных передаточных характеристик и упрощение изготовления. Сущность: устройство, состоящее из пьезоэлемента 1 с токосъемниками 2, заключенных внутрь пьезокерамического корпуса-держателя 3, выполненного в виде оболочки, внутренняя стенка которой...

  Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении высокочувствительных датчиков давления, силы, акселерометров и направлено на увеличение выхода годных изделий. Сущность изобретения: металлическую мембрану 1 накладывают на металлический корпус 2 и помещают в приспособление, позволяющее вращать соединяемый узел в плоскости сварки, при этом за первы...