PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ГОЛУБЕВ НИКОЛАЙ ФЕДОРОВИЧ

Изобретатель ГОЛУБЕВ НИКОЛАЙ ФЕДОРОВИЧ является автором следующих патентов:

Машина для контактной роликовой сварки

Машина для контактной роликовой сварки

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6I) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 291275 (21) 2306441/25-27 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 150 5 78.Бюллетень ¹ 18 (45) Дата опубликования описания 240478 2 (51) М. Кл. В 23 К 11/06 В 23 К 37/04 1ов11(вротввннын I(01NT8T Совета Мнннотров CCCP...

606697

Кулачок для привода толкателя топливного насоса

Кулачок для привода толкателя топливного насоса

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСГ1УБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР llO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3887592/25-06 (22) 06.02.85 (46) 07.01.87. Бюл, Р 1 (71) Производственное объединение "Владимирский тракторный завод им.А.А. Жданова" (72) В.В.Вирин, М.Б.Будунов, В.M.Èîíèí и Н.Ф.Голубев (53) 621.43.038. 7 (088. 8) (56) Авторское свидетельство...

1281723

Устройство управления процессом контактной стыковой сварки оплавлением

Устройство управления процессом контактной стыковой сварки оплавлением

  Изобретение относится к сварочному производству, а именно к устройствам автоматизации нроцесса сварки изделий замкнутой формы ответственного назначения , например звеньев высокопрочных ncneii. Цель изобретения - повышение качества сварного соединения за счет устранения колебаний напряжения сети. Устройство содержит дополнительную цепь преобразования сигнала первичного напряжения,...

1412910

Способ изготовления биполярных транзисторов

Способ изготовления биполярных транзисторов

  Изобретение относится к микроэлектро нике и может быть использовано при изготовлении транзисторов в изделиях, эксплуатируемых в условиях воздействия радиации. Сущность: готовые структуры биполярных транзисторов облучают электронами флюэнсом (10 5-5,1016)см.2, затем проводят отжиг при 280-320°С в течение 0,5-1 ч, после этого проводят в Планерную сторону структуры имплантац...

1800501