ТАНИНО Кития (JP)

 Изобретение предназначено для полупроводниковой техники и может быть использовано при получении полупроводниковых подложек для светоизлучающих диодов. На подложку - монокристаллический -SiC- наносят методом термохимического осаждения из паровой фазы поликристаллический слой -SiC. Температура осаждения 1300-1900°С. Комплекс монокристалл -SiC-поликристалл -SiC подвергают термообработке под...

 Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для светоизлучающих диодов, рентгеновских оптических элементов, высокотемпературных полупроводников и т.д. Сущность изобретения: комплекс (М), сформированный путем выращивания пластины (4) из поликристаллического -SiC способом термохимического осаждения из паровой фазы на поверхностях (2а) ориентации кристалла, которые объ...