Танино Кития (JP)
Изобретатель Танино Кития (JP) является автором следующих патентов:
Монокристаллический sic и способ его получения
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для производства светодиодов, оптических элементов и т.д. Поверхность монокристаллической -SiC подложки 1 обрабатывается так, чтобы иметь шероховатость поверхности, равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение , и предпочтительно равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение . На поверхности 1а монокрист...
2160327