PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Танино Кития (JP)

Изобретатель Танино Кития (JP) является автором следующих патентов:

Монокристаллический sic и способ его получения

Монокристаллический sic и способ его получения

 Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для производства светодиодов, оптических элементов и т.д. Поверхность монокристаллической -SiC подложки 1 обрабатывается так, чтобы иметь шероховатость поверхности, равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение , и предпочтительно равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение . На поверхности 1а монокрист...

2160327