ТАНИНО Китийя (JP)

 Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности при производстве диодов, усилителей и оптических элементов.Комплекс (M), который выполнен посредством выращивания поликристаллической -SiC пластины, имеющей толщину около 10 мкм или более, на поверхности монокристаллического -SiC базового материала посредством напыления высококачественным магнетроном или термохимически...

 Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Выращен комплекс (M), который выполнен укладыванием в стопку поликристаллической -SiC пластины на поверхности монокристаллического -SiC базового материала с плотным контактом через отполированную поверхность или получен путем химического парового осаждения, затем подвергнут тепловой обработке при температуре в диапазо...