БОНДАРЬ АЛЕКСАНДР ПАВЛОВИЧ
Изобретатель БОНДАРЬ АЛЕКСАНДР ПАВЛОВИЧ является автором следующих патентов:

Горелочное устройство
I г г Р О П И С АХИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ (») 612114 К АВТОРСКОМУ СВИДВТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 01,06,76 (21) 2366165/24-06 2 (53) М. Кл. с присоединением-заявки № F 23 27/00 Гооударстаанный комитет Совата Миннстраа СССР ао данам изобратаннй н открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 25,06,785юллетень № 23 (53) УДК 662.951,,2 (08 8.8) (4Б) Дата опуб...
612114
Горелочное устройство
ГОРЕЛОЧНОЕ УСТРОЙСТВО, содержащее воздухоподводящую трубу с топливной форсункой, напротив которой pijjметена камера смешення в виде диффузора с осев1)1м входным соплом и щелевыми проемами на боковой licjBep.XHOCTH, отличающееся тем, что, с целью повышения экономичности, в щелевых ирсч'мах с внутренней стороны камеры сменюния доно;1ните,тьно установлены нанрав,1як)н1ие лонатки, при...
1079949
Способ изготовления тензопреобразователя давления
Изобретение относится к измерительной технике и позволяет упростить технологию изготовления.В полупроводниковой пластине, ориентированной в плоскости lOOl , определяют базовое кристаллографическое направление 110 , После нанесения на пластину металлического и фоторезнстивного слоев поворачивают продольную ось тензопреобразователя в любую сторону на угол 22,5 от базового направлен...
1290110
Способ изготовления полупроводникового тензопреобразователя с раздельными цепями питания и измерения
Изобретение относится к тензометрии и может быть использовано для измерения механических деформаций, давления и вибраций. Целью изобретения является улучшение рабочих характеристик тензопреобразователя за счет уменьшения начального выходного сигнала при отсутствии механической нагрузки. На диэлектрической подложке 1 с помощью фотолитографии формируют тензопреобразователь 2 из полу...
1493890
Способ определения тензоэлектрических характеристик структуры металл-полупроводник
Изобретение может быть использовано при исследовании электрических характеристик структур металл-полупроводник и тензопреобразователей на их основе. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей способа за счет определения ряда дополнительных свойств полупроводникового материала, например фотоэлектрических свойств параметров глубоких примесных центров (ГПЦ). Для этого...
1506400