Кварацхели Ю.К.

 Изобретение относится к способам очистки галлия от примесей обработкой расплава галлия газообразным галогеном при нагревании. Сущность: обработку расплава галлия осуществляют газообразным очищенным фтором в течение 1 - 2 ч при 200 - 150С и переменном давлении в диапазоне 1 - 760 мм рт. ст. до перевода не более 1% галлия во фторид с последующей промывкой деионизованной водой в две стадии п...

 Изобретение относится к глубокой очистке газообразных фторидов, хлоридов, гидридов, инертных и других газов от взвешенных частиц и химических примесей. Сущность изобретения: газ обрабатывают электромагнитным излучением с энергией 103-107эВ . Температура газа (-50) - (50)°С. Производят подпитку водой до концентрации не выше 10-4 об.% . Раскручивают газ в центрифуге до скорости не более 700...

 Использование: в технологии получения высокочистых соединений кремния из отходов производства. Сущность изобретения: кремний-и фторосодержащее сырье реагируют при 650 - 750°С. В качестве кремнийсодержащего сырья используют рисовую или овсяную шелуху. Шелуху предварительно подвергают окислительному обжигу. В качестве фторсодержащего сырья используют отход производства изотопа урана 235, со...

  Использование: в микроэлектронике, волоконной оптике. Соединение мышьяка с металлами в виде гранул засыпают в реакционную колонку, через которую пропускают газ - носитель (например, водород), предварительно насыщенный водяным паром в термостате с сосудом увлажнителем, причем газ - носитель насыщают водяным паром до концентрации, отвечающей равновесному состоянию, а концентрация гидрида м...

 При способе хранения высокочистых минеральных кислот с уровнем микропримесей 10-7-9-9 мас.% в полиэтиленовых или фторопластовой таре вводят предварительно очищенный поглотитель. Для соляной кислоты в качестве поглотителя используют графит ОСЧ 8 4 или ионообменную смолу КУ 2 8, или поролас Т. Для азотной графит ОСЧ 8 4 или фторопластовый порошок, или поролас Т. Способ позволяет после хране...

 Изобретение относится к способам конверсии тетрафторида кремния в моносилан и фторид водорода. Использование: в микроэлектронной промышленности для получения моносилана, как сырье для производства поликристаллического кремния высокой чистоты. Сущность изобретения: смесь тетрафторида кремния и водорода конвертируют во фторсиланы путем возбуждения неконтрагированного сверхвысокочастотного р...

 Использование: производство высокочистого поликристаллического кремния, полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения: способ заключается во взаимодействии гидрида кальция с газообразным тетрафторидом кремния в солевом расплаве хлоридов лития и калия. Тетрафторид кремния используют в концентрации 50 - 100 об.%. Тетрафторид кремния разбавляют очищенным от кисл...

 Изобретение может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения заключается в том, что моносилан и дисилан получают взаимодействием силицида магния с минеральной кислотой в атмосфере гелия. Полученные продукты очищают от примесей и разделяют. В качестве минеральной кислоты используют кремн...