Филинов В.Т.

 Использование: производство высокочистого поликристаллического кремния, полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения: способ заключается во взаимодействии гидрида кальция с газообразным тетрафторидом кремния в солевом расплаве хлоридов лития и калия. Тетрафторид кремния используют в концентрации 50 - 100 об.%. Тетрафторид кремния разбавляют очищенным от кисл...

 Изобретение может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения заключается в том, что моносилан и дисилан получают взаимодействием силицида магния с минеральной кислотой в атмосфере гелия. Полученные продукты очищают от примесей и разделяют. В качестве минеральной кислоты используют кремн...