ГОРДЕЕВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ

  йб (:(, @. тг ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИТИДЬСТВУ Союз Советских Социалистических республик ((() 63,)9С13 (6l) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Заявлено 23.04.75 (21) 2126742/ 22-02 с присоединением заявки №вЂ” 2 (5!) М. Кл. В 21 В;? 1/02 В 21 В 27/00 Гооудоротоенный комнтет Сооотв Министров СИР по делам изобретений н отнрытнй (23) Приоритет— (43) Опублико...

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к мощным биполярным транзисторам. Цель изобретения - повышение устойчивости транзистора к вторичному пробою при повышенных значениях напряжения коллектор. - эмиттер. Конструкция транзистора содержит множество сильнолегированных полосок 1, находящихся вдоль зубца на расстоянии друг от друга и соединенных общей слаболегир...