ТКАЧЕВА Т.М.
Изобретатель ТКАЧЕВА Т.М. является автором следующих патентов:
Способ изготовления диодного или транзисторного р-п перехода на полупроводниковом кристалле п-типа
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических Республик он 621239 (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 081076 (21) 2411833/18-25 (51)М. Кл.2 Н 01 Ь 21/02 с присоединением заявки Ио. Государстаеиный комитет СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДК 621-382 (088.8) Опубликовано 150879. Бюллетень H9 SU Дата опубли...
621239