АНТОНЕНКО А.Х.

  1. СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ с помощью светового импульса *1ощностью 10Т-10* Вт/см' и длительностью импульса 3 мс'- "10 не, о т - личающИйся тем, что, с целью исключения эрозии планарной поверхности пластины, возможности проведения отжига в многослойных структурах и упрощения технологии, световой импульс направляют на поверхность полупроводник...