Сафронов Л.Н.
Изобретатель Сафронов Л.Н. является автором следующих патентов:

Способ получения сверхпроводящего материала
Способ получения сверхпроводящего материала в полупроводнике путем его охлаждения до критической температуры с использованием фазового перехода полупроводник-металл, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и получения сверхпроводящих участков заданной конфигурации, охлажденный до или ниже критической температуры полупроводник облучают импульсами лазера с плотностью энергии ниже п...
625533