ЧУВАШОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

  "- - 01С1З;)Л1 гу О Б К С А i3 V, Е И 3 О Г (- Е1Е ИИЯ .„РК„1З C egyqgd,Iey СОЦИРЪПИИtdeqeevFrFI Х РЕСПУ611ИИ в, Д -t г ) Р g I-) yf g.d г Ц ) Г((: Р (= 1) тг (Д У (61 1 3;I!111, Я1IId, 1 е IddlldI:= 1.;:.Ф = ò. гвнд-ц т — (9У1 чaqв но1dп (1й02 ; .7 (91)2dl > j 7750 1 Я вЂ” ) 0 (5t) М. Кл. Ñ,0) P 3 Я б П(1нгсе)ЕЛ111;В11ИЕ:-.: ЗадБЕН,1— Гвc) аpcTB IIиый Сонета Чикист)1он...

  Союз Советских Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-sy— (22) Заявлено 1710.79 (21) 2829290/18-10 с присоединением заявки М— (51)М. Кл.з G 01 P 3/488 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет— Опубликовано 150681 Бюллетень Мо 22 Дата опубликования описания 1506.81. (...

  Союз Советских Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ будут одинаковы и на выходе дифференциального усилителя 3 будет нулевой сигнал. При прохождении намагниченного пятна относительно магнитодиода 1 проводимость последнего изменяется, возникает изменение напряжения, которое усиливается дифференциальным усилителем 3 и запускает моностаб...

  Изобретение относится к измерительной технике. Цель - повышение чувствительности и расширение температурного диапазона магниточувствительного элемента (МЭ). МЭ содержит ферромагнитное тело (ФТ) 1, в качестве которого может быть часть деталиу перемещение или угол которой измеряется , или зубец ротора при измерении частоты вращения, магнитодиоды (М) 2 и 3, постоянный магнит 4 и сум...

  Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам термокаталитического анализа горючих газов и паров.Цель изобретения - повышение точности измерения. Устройство содержит реакционную камеру с принудительным газообменом, рабочий и компенсационный термоэлементы, расположенные в камере, стабилизатор тока, к выходу которого подключен компенсационный термоэлемент, р...

  Использование: аналитическое приборостроение . Сущность изобретения: чувствительный элемент выполнен в виде многослойной структуры с крестообразной формой первого слоя носителя и нагревателя, расположенного между первым и вторым слоями носителя. Каталитический слой выполнен на втором слое носителя. Слой коммутационной металлизации введен к нагревательному и каталитическому покрыт...