Закурдаев И.В.

 Изобретение относится к получению чистых материалов, а именно к способу очистки галлия от примесей, включающему фильтрацию и кислотную промывку. После кислотной промывки осуществляют отбор галлия в количестве не более 2/3 объема отработанного галлия в вакуумированный резервуар через заборник, расположенный ниже поверхности галлия. Способ позволяет повысить глубину очистки и увеличить выхо...

 Использование: в области наноэлектроники для создания на основе структур с наноостровками (квантовыми точками) германия на кремнии полупроводниковых приборов со сверхвысоким быстродействием, а также некоторых оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния заключается в том, что отжиг вицинальной поверхности кр...