ХВОСТАНЦЕВ Л.Г.
Изобретатель ХВОСТАНЦЕВ Л.Г. является автором следующих патентов:
Устройство для создания высокого давления
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН (19) (111 3(51) В 01 У 3 06 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 1733404/25-27 (22) 03.01.72 (46) 23.06.83. Вюл. Р 23 (72) Л.Ф. Верещагин и Л.Г. Хвостанцев (71) Институт физики высоких давлений АН СССР (53) 621. 979. 062 (088. 8), (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ...
637995Способ получения термоэлектрического материала
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА на основе теллурида висмута р-типа проводимости, о тличающийся тем, что, с целью увеличения термоэлектрической добротности, монокристалл теллурида висмута р-типа с концентрацией носителей заряда 2 подвергают воздействию гидростатического давления 5 - 65 кбар. (19) а1> Р1) Н 01 L 35/16 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ Н014ИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И О...
882361Устройство для создания высокого давления
УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ, содержащее пуансоны, состоящие из рабочей и опорных частей , и установленный между ними контейнер из упругопластичного материала для размещения обрабатываемого образца , отличающееся тем. что, с целью повыйения давления, рабочие и опорные части пуансонов установлены на расстоянии один от другой перпендикулярно оси приложения давления, на...
938451