ХВОСТАНЦЕВ Л.Г.
Изобретатель ХВОСТАНЦЕВ Л.Г. является автором следующих патентов:

Устройство для создания высокого давления
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН (19) (111 3(51) В 01 У 3 06 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 1733404/25-27 (22) 03.01.72 (46) 23.06.83. Вюл. Р 23 (72) Л.Ф. Верещагин и Л.Г. Хвостанцев (71) Институт физики высоких давлений АН СССР (53) 621. 979. 062 (088. 8), (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ...
637995
Способ получения термоэлектрического материала
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА на основе теллурида висмута р-типа проводимости, о тличающийся тем, что, с целью увеличения термоэлектрической добротности, монокристалл теллурида висмута р-типа с концентрацией носителей заряда 2 подвергают воздействию гидростатического давления 5 - 65 кбар. (19) а1> Р1) Н 01 L 35/16 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ Н014ИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И О...
882361
Устройство для создания высокого давления
УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ, содержащее пуансоны, состоящие из рабочей и опорных частей , и установленный между ними контейнер из упругопластичного материала для размещения обрабатываемого образца , отличающееся тем. что, с целью повыйения давления, рабочие и опорные части пуансонов установлены на расстоянии один от другой перпендикулярно оси приложения давления, на...
938451