ХИСАЕСИ ЯМОТО
Изобретатель ХИСАЕСИ ЯМОТО является автором следующих патентов:
Полупроводниковое устройство
О П И С А Н И Е 1щ638289 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К ПАТЕНТУ (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 28.03.75 (21) 2121500/18-25 (51) И Кл."Н 011. 27/04 (23) Приоритет — (32) 30.03.74 Государственный комитет (3 1 ) 36 1 75/74 (33) Япония (43) Опубликовано 15.12.78, Бюллетень № 46 (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (45)...
638289