Самойлович М.И.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических генераторов и холодильников, а также полупроводниковых приборов, используемых в электронной и радиотехнической промышленности. Целью изобретения является снижение термического сопротивления и улучшение диэлектрических свойств теплоперехода. В способе изготовления теплоперехода,...

 Использование: в полупроводниковой технике в качестве функционального элемента для решения задач комплексной микроминиатюризации устройств низкочастотной электроники (фильтров, линий задержек и др.), что позволяет исключить применение трансформаторов, конденсаторов большой емкости, катушек с большой индуктивностью. Цель: уменьшение габаритных размеров и улучшение частотной характеристики...

 Использование: изобретение относится к области электронной техники, в частности полупроводниковым терморезисторам. В способе изготовления полупроводникового терморезистора сначала выращивают термочувствительный элемент из монокристалла синтетического полупроводникового алмаза. Затем на нем как на затравке наращивают вокруг всего полупроводникового алмаза тонкий изолирующий слой синтетичес...

 Изобретение относится к промышленности синтеза минерального сырья и может быть использовано для получения синтетического материала со структурой благородного опала, в частности при последующей обработке аналога природного благородного опала, используемого, например, в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: синтетический материал со структурой благородного опала получают приготовл...

 Способ получения алмазоподобных пленок из углеводородных соединений для повышения качества пленок заключается в том, что осаждение слоя углерода осуществляют при напряжении плазмотрона 3000-6000 В и силе тока разряда - 200-500 мА. 4 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к области получения однородных по всему объему алмазоподобных пленок на изделиях различного назначения с целью улучшени...