Скорняков С.П.

 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, содержащий p-n-переходы и управляющую МДП-систему, отличающийся тем, что, с целью получения низковольтных программируемых напряжений, p-n-переходы выполнены в виде переходов с туннельным механизмом пробоя. Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управления в качестве программируемого источника ограничительного напряжени...

 (19)SU(11)1225423(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/328(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения, и предназначено для изготовления силовых кремниевых диодов и транзисторо...

 Изобретение относится к термокомпенсированным стабилитронам - полупроводниковым приборам, предназначенным для жесткой стабилизации рабочего напряжения в радиоэлектронной аппаратуре в условиях изменяющейся температуры окружающей среды. Сущность изобретения: предложен низковольтный термокомпенсированный стабилитрон, содержащий кристалл легированного кремния с образованными в нем основным, к...