ФОМИН Н.Г.
Изобретатель ФОМИН Н.Г. является автором следующих патентов:
Способ определения параметров полупроводника
г " . ° ° Ь li 1 †.И Ф- . слниче най б. блиотена и („, л ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 280377 (21) 2471431/18-25 Союз Советских Социалистических Республик ои 646795 (51)М. Кл.2 с присоедммемием заявки Hо Н 01 ?. 21/66 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДК 621...
646795