ДМИТРИЕВ ВЛАДИМИР АНДРЕЕВИЧ

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ < о647825 Сеюз Сеаетсиии Сециаиистичесииа республик (61) дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 10.11.71 (21) 1712879/24-07 с присоединением заявки И (23) Приоритет (51) М. Кл. Н 02 P 5/16 Госуаарственный комитет СССР о деяам изобретений и открытий (Щ УДК 621 ° 313 2 °,07 (088.8) Опубликовано 150279. Яурллетень,Щ Дата .оп...

  Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано для изучения процесса роста эпитаксиальных слоев. Цель изобретения - повышение точности определения скорости роста. Способ включает определение скорости роста эпитаксиального слоя SIC, выращенного на подложке из раствора-расплава SIC за фиксированный промежуток времени. При выращивании слоя в ра...

  Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в устройствах приводов лентопротяжных механизмов с коллекторными трехфазными электродвигателями. Целью изобретения является повышение надежности. В качествае датчика провисания петли ленты используются сельсин 8 с трансформаторами 9 и 10. Пороговые элементы 15, 16 с элементами выдержки времени 17, 18 блока синхрониза...

  Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к области выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, и может быть, использовано в высокотемпературной электронике, в том числе для создания высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - упрощение процесса (отсутствие буферного слоя и использование стандартного оборудования для получения эп...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к созданию карбидкремниевых р-п-структур, которые используют для создания высокотемпературных приборов: выпрямительных диодов, стабилитронов, полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом, и позволяет повысить выход годных структур. Выращивают жидкофазной эпитаксией карбидкремниевые р-п-структуры политипа 6Н из...