Рене СТЭН (DE)

 Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: поверхность (3) затравочного кристалла (2) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращиваемого из газовой фазы монокристалла (6) и во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), которое является химически стойким относительно затравочного крис...